國(guó)產(chǎn)化率計(jì)算：長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華力集成、華虹無錫設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率國(guó)產(chǎn)化率計(jì)算：長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華力集成概念股、華虹無錫設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率（按照設(shè)備臺(tái)數(shù)占比，下同）分別為17.9%、12.9%、18%。

 

    　　從各類型設(shè)備龍頭股來看，去膠、清洗、氧化擴(kuò)散/熱處理、刻蝕、化學(xué)機(jī)械拋光領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化率均可達(dá)到20%以上，而薄膜沉積、過程控制、離子注入、光刻、涂膠顯影設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率尚低。

 

    　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)在設(shè)備國(guó)產(chǎn)化方面較為積極，總體國(guó)產(chǎn)化率高于另兩家晶圓廠三座晶圓廠橫向?qū)Ρ葋砜�，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在設(shè)備國(guó)產(chǎn)化方面較為積極，總體國(guó)產(chǎn)化率高于另兩家晶圓廠。這可能是由于長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，為IDM模式（設(shè)計(jì)、制造一體），設(shè)備選擇自主性相對(duì)高于晶圓廠代工廠（代工廠或需考慮設(shè)計(jì)客戶接受情況）。

 

    　　華虹無錫與華力集成同屬于華虹集團(tuán)，而華虹無錫各類型設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率基本均高于華力集成（個(gè)別如氧化擴(kuò)散/熱處理、離子注入除外，但相差不大），這可能是由于華虹無錫主要制程在90nm~55nm，屬于成熟制程，華力集成主要為28~14nm，相對(duì)于華虹無錫而言屬于較先進(jìn)制程，成熟制程在設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率方面相對(duì)更高。

 

    　　產(chǎn)能擴(kuò)張+國(guó)產(chǎn)替代積極推進(jìn)，看好未來3年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展展望2023年，中芯國(guó)際、華虹無錫、華力集成等晶圓代工廠以及長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等IDM廠均有持續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)增計(jì)劃，國(guó)內(nèi)資本開支保持較高投入水平。

 

    　　另一方面，美國(guó)制裁華為、中芯國(guó)際等已經(jīng)激發(fā)國(guó)內(nèi)廠商供應(yīng)鏈安全意識(shí)，國(guó)內(nèi)晶圓廠有望加快供應(yīng)鏈本土化，國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商接下來3~5年有望受益國(guó)產(chǎn)份額的提升，半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)有較強(qiáng)基本面支撐。

 

    　　建議優(yōu)先選擇賽道空間大、產(chǎn)品布局全面、技術(shù)實(shí)力較強(qiáng)的龍頭設(shè)備廠商，以及份額尚低、受益國(guó)產(chǎn)替代有望快速成長(zhǎng)的細(xì)分賽道成長(zhǎng)型企業(yè)。

 

    　　推薦北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海，建議關(guān)注拓荊科技、華海清科、芯源微、屹唐股份、至純科技、精測(cè)電子等。

 

    　　除晶圓廠工藝設(shè)備外，測(cè)試設(shè)備/封裝設(shè)備方面亦受益國(guó)內(nèi)晶圓制造、配套測(cè)試、封裝產(chǎn)能擴(kuò)張，國(guó)產(chǎn)化持續(xù)推進(jìn)，推薦華峰測(cè)控，建議關(guān)注長(zhǎng)川科技、新益昌、光力科技等。

 

    　　風(fēng)險(xiǎn)因素

 

    　　下游需求不及預(yù)期；

 

    　　國(guó)際產(chǎn)業(yè)環(huán)境變化和貿(mào)易概念股摩擦加劇風(fēng)險(xiǎn)；

 

    　　宏觀經(jīng)濟(jì)增速不及預(yù)期；

 

    　　晶圓廠資本開支不及預(yù)期；

 

    　　國(guó)產(chǎn)設(shè)備研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期等。

 

數(shù)據(jù)推薦

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